Группа 5: различия между версиями
Материал из Тамбов-Вики
Строка 11: | Строка 11: | ||
== Визитная карточка проекта == | == Визитная карточка проекта == | ||
− | |||
− | |||
− | |||
− | |||
− | |||
=== Учебные дисциплины, в рамках которых реализуется проект === | === Учебные дисциплины, в рамках которых реализуется проект === | ||
Строка 21: | Строка 16: | ||
*Электронная техника | *Электронная техника | ||
*Информатика | *Информатика | ||
+ | |||
+ | === Название учебной темы, в рамках которой реализуется проект === | ||
+ | *Полупроводниковые приборы | ||
+ | *Отходы-глобальная проблема на ж.д. транспорте | ||
+ | *АСУ экологии | ||
=== Планируемые результаты === | === Планируемые результаты === |
Версия 00:23, 27 сентября 2017
Творческое название проекта
Отслужившие радиоэлектронные приборы отходы или ресурсы?
- Утилизация электроники, применяемой на железнодорожном транспорте
Авторы идеи
- Шальнева Ксения Игоревна
- Малеева Ирина Викторовна
- Гриднева Анна Юрьевна
- Урюпина Екатерина Валерьевна
- Тринко Эльвира Александровна
Визитная карточка проекта
Учебные дисциплины, в рамках которых реализуется проект
- Экология на железнодорожном транспорте
- Электронная техника
- Информатика
Название учебной темы, в рамках которой реализуется проект
- Полупроводниковые приборы
- Отходы-глобальная проблема на ж.д. транспорте
- АСУ экологии
Планируемые результаты
Учебное содержание
- Электронная техника
Содержание учебного материала раздела 1 "Полупроводниковые приборы"
- Тема 1.3. Биполярные транзисторы
Назначение, устройство и классификация биполярных транзисторов. Условное графическое обозначение в схемах. Принцип работы схемы включения. Режимы работы биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ). Схемы замещения и физические параметры биполярных транзисторов. Малосигнальные h-параметры транзисторов и методика их определения. Эксплуатационные параметры биполярных транзисторов. Влияние температуры на характеристики и параметры биполярных транзисторов. Устройство и принцип работы биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT-транзистор), условное графическое обозначение в схемах. Устройство и особенности работы однопереходных транзисторов. Маркировка биполярных транзисторов
- Тема 1.8. Элементы интегральных микросхем (ИМС)
Общие сведения об ИМС. Функциональная классификация и характеристика ИМС. Достоинства и недостатки ИМС. Конструктивно-технологические типы, активные и пассивные элементы ИМС. Система обозначений. Надежность ИМС. Приборы с зарядовой связью. Перспективы развития микроэлектроники.
Проблемное поле проекта
поиск механизмов переработки и утилизации радиоэлектронных приборов